DF75R12W1H4FB11BOMA2

DF75R12W1H4FB11BOMA2 - Infineon Technologies

номер части
DF75R12W1H4FB11BOMA2
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
DF75R12W1H4FB11BOMA2 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
2242 pcs
Справочная цена
USD 73.37958/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку DF75R12W1H4FB11BOMA2

DF75R12W1H4FB11BOMA2 Подробное описание

номер части DF75R12W1H4FB11BOMA2
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 25A
Мощность - макс. 20mW
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 25A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DF75R12W1H4FB11BOMA2