DF75R12W1H4FB11BOMA2

DF75R12W1H4FB11BOMA2 - Infineon Technologies

Número de pieza
DF75R12W1H4FB11BOMA2
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
DF75R12W1H4FB11BOMA2 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
2242 pcs
Precio de referencia
USD 73.37958/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para DF75R12W1H4FB11BOMA2

DF75R12W1H4FB11BOMA2 Descripción detallada

Número de pieza DF75R12W1H4FB11BOMA2
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de IGBT -
Configuración Three Phase Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 25A
Potencia - Max 20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 25A
Corriente - corte de colector (máximo) 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA DF75R12W1H4FB11BOMA2