DF75R12W1H4FB11BOMA2 - Infineon Technologies

Numéro d'article	DF75R12W1H4FB11BOMA2
État de la pièce	Not For New Designs
Type d'IGBT	-
Configuration	Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	25A
Puissance - Max	20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.65V @ 15V, 25A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	2nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	Module
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	DF75R12W1H4FB11BOMA1	Infineon Technologies	MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1	Détails
	DF75R12W1H4FB11BOMA2	Infineon Technologies	MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1	Détails