DF200R12KE3HOSA1 - Infineon Technologies

номер части	DF200R12KE3HOSA1
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	-
Мощность - макс.	1040W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	14nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DF200R12KE3HOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 200A	подробности
DF200R12PT4B6BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 200A	подробности
DF200R12W1H3B27BOMA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 200A	подробности
DF200R12W1H3FB11BOMA1	Infineon Technologies	MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1	подробности
DF200R12W1H3FB11BPSA1	Infineon Technologies	MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1	подробности