DF200R12KE3HOSA1

DF200R12KE3HOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
DF200R12KE3HOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1747 pcs
Referenzpreis
USD 94.138/pcs
Unser Preis
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DF200R12KE3HOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DF200R12KE3HOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Leistung max 1040W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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