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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › DF200R12PT4B6BOSA1
DF200R12PT4B6BOSA1

DF200R12PT4B6BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
DF200R12PT4B6BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DF200R12PT4B6BOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
890 pcs
Referenzpreis
USD 184.75833/pcs
Unser Preis
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DF200R12PT4B6BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DF200R12PT4B6BOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 300A
Leistung max 1100W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 15µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12.5nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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