DF200R12W1H3FB11BOMA1

DF200R12W1H3FB11BOMA1 - Infineon Technologies

номер части
DF200R12W1H3FB11BOMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
DF200R12W1H3FB11BOMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
1987 pcs
Справочная цена
USD 82.7575/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку DF200R12W1H3FB11BOMA1

DF200R12W1H3FB11BOMA1 Подробное описание

номер части DF200R12W1H3FB11BOMA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 30A
Мощность - макс. 20mW
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DF200R12W1H3FB11BOMA1