GP2M005A060PGH - Global Power Technologies Group

номер части	GP2M005A060PGH
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	14nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	658pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	98.4W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	I-Pak
Упаковка / чехол	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GP2M002A060CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A DPAK	подробности
GP2M002A060FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A TO220F	подробности
GP2M002A060HG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A TO220	подробности
GP2M002A060PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A	подробности
GP2M002A065CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK	подробности
GP2M002A065FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F	подробности
GP2M002A065HG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220	подробности
GP2M002A065PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK	подробности
GP2M004A060CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 4A DPAK	подробности
GP2M004A060FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 4A TO220F	подробности