GP1M008A025PG - Global Power Technologies Group

номер части	GP1M008A025PG
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	250V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	8.4nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	423pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	52W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	I-Pak
Упаковка / чехол	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GP1M003A040CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 400V 2A DPAK	подробности
GP1M003A040PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 400V 2A IPAK	подробности
GP1M003A050CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK	подробности
GP1M003A050FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F	подробности
GP1M003A050HG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220	подробности
GP1M003A050PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK	подробности
GP1M003A080CH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A DPAK	подробности
GP1M003A080FH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A TO220F	подробности
GP1M003A080H	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A TO220	подробности
GP1M003A080PH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A IPAK	подробности