GP1M003A080H

GP1M003A080H - Global Power Technologies Group

номер части
GP1M003A080H
производитель
Global Power Technologies Group
Краткое описание
MOSFET N-CH 800V 3A TO220
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
GP1M003A080H Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
GP1M003A080H.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3956 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку GP1M003A080H

GP1M003A080H Подробное описание

номер части GP1M003A080H
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 696pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 94W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220
Упаковка / чехол TO-220-3
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ GP1M003A080H