GP1M008A025PG - Global Power Technologies Group

Número de pieza: GP1M008A025PG
Fabricante: Global Power Technologies Group
Breve descripción: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	GP1M008A025PG
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	423pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	I-Pak
Paquete / caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
GP1M003A040CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 400V 2A DPAK	Detalles
GP1M003A040PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 400V 2A IPAK	Detalles
GP1M003A050CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK	Detalles
GP1M003A050FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F	Detalles
GP1M003A050HG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220	Detalles
GP1M003A050PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK	Detalles
GP1M003A080CH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A DPAK	Detalles
GP1M003A080FH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A TO220F	Detalles
GP1M003A080H	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A TO220	Detalles
GP1M003A080PH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A IPAK	Detalles