| номер части | GD5F1GQ4UEYIGR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND |
| Размер памяти | 1Gb (128M x 8) |
| Частота часов | 120MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | 700µs |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | SPI - Quad I/O |
| Напряжение - Поставка | 2.7V ~ 3.6V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-WDFN Exposed Pad |
| Пакет устройств поставщика | 8-WSON (6x8) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GD5F1GQ4RF9IGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | подробности |
|
GD5F1GQ4RF9IGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | подробности |
|
GD5F1GQ4UEYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | подробности |
|
GD5F1GQ4UEYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | подробности |
|
GD5F1GQ4UFYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | подробности |
|
GD5F1GQ4UFYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | подробности |
