| 品番 | GD5F1GQ4UEYIGR |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FLASH |
| 技術 | FLASH - NAND |
| メモリー容量 | 1Gb (128M x 8) |
| クロック周波数 | 120MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 700µs |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | SPI - Quad I/O |
| 電圧 - 供給 | 2.7V ~ 3.6V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-WDFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WSON (6x8) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
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GD5F1GQ4RF9IGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | 詳細 |
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GD5F1GQ4RF9IGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | 詳細 |
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GD5F1GQ4UEYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | 詳細 |
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GD5F1GQ4UEYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | 詳細 |
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GD5F1GQ4UFYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | 詳細 |
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