| Artikelnummer | GD5F1GQ4UEYIGR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
| Taktfrequenz | 120MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 700µs |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-WSON (6x8) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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GD5F1GQ4RF9IGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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GD5F1GQ4RF9IGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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GD5F1GQ4UEYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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GD5F1GQ4UEYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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GD5F1GQ4UFYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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GD5F1GQ4UFYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
