MBR200150CTR - GeneSiC Semiconductor

номер части	MBR200150CTR
Статус детали	Active
Конфигурация диода	1 Pair Common Anode
Тип диода	Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	150V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	100A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	880mV @ 100A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	3mA @ 150V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Twin Tower
Пакет устройств поставщика	Twin Tower
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MBR200100	MCC	200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	подробности
MBR200100CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	подробности
MBR200100CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	подробности
MBR200100CTS	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A SOT227	подробности
MBR200150CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER	подробности
MBR200150CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER	подробности
MBR20020	MCC	200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	подробности
MBR200200CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER	подробности
MBR200200CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER	подробности
MBR20020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER	подробности