• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - アレイ › MBR200150CTR
MBR200150CTR

MBR200150CTR - GeneSiC Semiconductor

品番
MBR200150CTR
メーカー
GeneSiC Semiconductor
簡単な説明
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
MBR200150CTR PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
MBR200150CTR.pdf
カテゴリー
ダイオード - 整流器 - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
544 pcs
参考価格
USD 49.3132/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください MBR200150CTR

MBR200150CTR 詳細な説明

品番 MBR200150CTR
部品ステータス Active
ダイオード構成 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ Schottky
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 150V
電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） 100A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 880mV @ 100A
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） -
電流 - 逆リーク（Vr） 3mA @ 150V
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Twin Tower
サプライヤデバイスパッケージ Twin Tower
重量 -
原産国 -

関連製品 MBR200150CTR

画像 品番 メーカー 説明 見る
MBR200100 MBR200100 MCC 200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier 詳細
MBR200100CT MBR200100CT GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER 詳細
MBR200100CTR MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER 詳細
MBR200100CTS MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 100V 200A SOT227 詳細
MBR200150CT MBR200150CT GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER 詳細
MBR200150CTR MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER 詳細
MBR20020 MBR20020 MCC 200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier 詳細
MBR200200CT MBR200200CT GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER 詳細
MBR200200CTR MBR200200CTR GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER 詳細
MBR20020CT MBR20020CT GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER 詳細