KBL410G - GeneSiC Semiconductor

номер части	KBL410G
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	1000V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	4A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 4A
Текущий - обратный утечек @ Vr	5µA @ 1000V
Рабочая Температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-SIP, KBL
Пакет устройств поставщика	KBL
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
KBL0	EXSHINE	4.0 AMPERE SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER	подробности
KBL005	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 50V KBL	подробности
KBL005-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 50V KBL	подробности
KBL005_08	VISHAY	Single-Phase Bridge Rectifier	подробности
KBL01	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 100V KBL	подробности
KBL01-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 100V KBL	подробности
KBL01/1	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 100V KBL	подробности
KBL02	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 200V KBL	подробности
KBL02-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 200V KBL	подробности
KBL04	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 400V KBL	подробности