KBL410G - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	KBL410G
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Single Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	1000V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 4A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5µA @ 1000V
Betriebstemperatur	-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	4-SIP, KBL
Lieferantengerätepaket	KBL
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
KBL0	EXSHINE	4.0 AMPERE SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER	Einzelheiten
KBL005	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 50V KBL	Einzelheiten
KBL005-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 50V KBL	Einzelheiten
KBL005_08	VISHAY	Single-Phase Bridge Rectifier	Einzelheiten
KBL01	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 100V KBL	Einzelheiten
KBL01-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 100V KBL	Einzelheiten
KBL01/1	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 100V KBL	Einzelheiten
KBL02	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 200V KBL	Einzelheiten
KBL02-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 200V KBL	Einzelheiten
KBL04	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 400V KBL	Einzelheiten