KBL410G - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	KBL410G
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	1000V
Courant - Rectifié moyen (Io)	4A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 4A
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 1000V
Température de fonctionnement	-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	4-SIP, KBL
Package de périphérique fournisseur	KBL
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
KBL0	EXSHINE	4.0 AMPERE SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER	Détails
KBL005	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 50V KBL	Détails
KBL005-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 50V KBL	Détails
KBL005_08	VISHAY	Single-Phase Bridge Rectifier	Détails
KBL01	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 100V KBL	Détails
KBL01-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 100V KBL	Détails
KBL01/1	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 100V KBL	Détails
KBL02	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 200V KBL	Détails
KBL02-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 200V KBL	Détails
KBL04	Fairchild/ON Semiconductor	IC BRIDGE RECT 4A 400V KBL	Détails