GA05JT12-263 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GA05JT12-263
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	-
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	15A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Vgs (Макс.)	-
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	106W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	-
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип монтажа	-
Пакет устройств поставщика	-
Упаковка / чехол	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GA05JT01-46	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 100V 9A	подробности
GA05JT03-46	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 300V 9A	подробности
GA05JT12-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 5A	подробности
GA05JT12-263	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 15A	подробности