GA05JT12-263 - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza	GA05JT12-263
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	-
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	15A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Paquete / caja	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
GA05JT01-46	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 100V 9A	Detalles
GA05JT03-46	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 300V 9A	Detalles
GA05JT12-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 5A	Detalles
GA05JT12-263	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 15A	Detalles