品番 | GA05JT12-263 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | - |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | - |
Vgs(th)(Max)@ Id | - |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
Vgs(最大) | - |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 106W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | - |
動作温度 | 175°C (TJ) |
取付タイプ | - |
サプライヤデバイスパッケージ | - |
パッケージ/ケース | - |
重量 | - |
原産国 | - |