RFD12N06RLESM9A

RFD12N06RLESM9A - Fairchild/ON Semiconductor

номер части
RFD12N06RLESM9A
производитель
Fairchild/ON Semiconductor
Краткое описание
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
RFD12N06RLESM9A Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
25000 pcs
Справочная цена
USD 0.4078/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку RFD12N06RLESM9A

RFD12N06RLESM9A Подробное описание

номер части RFD12N06RLESM9A
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 485pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±16V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 49W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 63 mOhm @ 18A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика TO-252AA
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ RFD12N06RLESM9A