RFD12N06RLESM9A - Fairchild/ON Semiconductor

номер части	RFD12N06RLESM9A
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	485pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±16V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	49W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 18A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
RFD12N06RLE	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 18A IPAK	подробности
RFD12N06RLESM	FAIRC	RFD12N06RLESM FAIRC TO-252.. New Original Stocks	подробности
RFD12N06RLESM9A	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK	подробности