대한민국
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

RFD12N06RLESM9A

RFD12N06RLESM9A - Fairchild/ON Semiconductor

부품 번호: RFD12N06RLESM9A
제조사: Fairchild/ON Semiconductor
간단한 설명: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: RFD12N06RLESM9A PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 25000 pcs
참고 가격: USD 0.4078/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

RFD12N06RLESM9A 상세 설명

부품 번호	RFD12N06RLESM9A
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	485pF @ 25V
Vgs (최대)	±16V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	49W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 18A, 10V
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	TO-252AA
패키지 / 케이스	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
무게	-
원산지	-

관련 제품 RFD12N06RLESM9A

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	RFD12N06RLE	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 18A IPAK	세부
	RFD12N06RLESM	FAIRC	RFD12N06RLESM FAIRC TO-252.. New Original Stocks	세부
	RFD12N06RLESM9A	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK	세부