RFD12N06RLESM9A - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	RFD12N06RLESM9A
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	485pF @ 25V
Vgs (Max)	±16V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 18A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252AA
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
RFD12N06RLE	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 18A IPAK	Détails
RFD12N06RLESM	FAIRC	RFD12N06RLESM FAIRC TO-252.. New Original Stocks	Détails
RFD12N06RLESM9A	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK	Détails