| номер части | ZXMHC6A07N8TC |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.39A, 1.28A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 166pF @ 40V |
| Мощность - макс. | 870mW |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMHC10A07N8 | DIODES | 100V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge | подробности |
|
ZXMHC10A07N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC | подробности |
 |
ZXMHC10A07T8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 | подробности |
|
ZXMHC3A01N8 | DIODES | 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge | подробности |
|
ZXMHC3A01N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC | подробности |
|
ZXMHC3A01T8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8 | подробности |
|
ZXMHC3F381N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC | подробности |
|
ZXMHC6A07N8 | DIODES | 60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge | подробности |
|
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC | подробности |
|
ZXMHC6A07T8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 | подробности |
