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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › ZXMHC6A07N8TC
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC - Diodes Incorporated

品番
ZXMHC6A07N8TC
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
ZXMHC6A07N8TC PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
131250 pcs
参考価格
USD 0.483/pcs
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ZXMHC6A07N8TC 詳細な説明

品番 ZXMHC6A07N8TC
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.39A, 1.28A
Rds On（Max）@ Id、Vgs 250 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 3.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 166pF @ 40V
電力 - 最大 870mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
重量 -
原産国 -

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