ZXMHC10A07N8TC - Diodes Incorporated

номер части	ZXMHC10A07N8TC
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Функция FET	Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	800mA, 680mA
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	2.9nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	138pF @ 60V
Мощность - макс.	870mW
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика	8-SOP
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
ZXMHC10A07N8	DIODES	100V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge	подробности
ZXMHC10A07N8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC	подробности
ZXMHC10A07T8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8	подробности
ZXMHC3A01N8	DIODES	30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge	подробности
ZXMHC3A01N8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC	подробности
ZXMHC3A01T8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8	подробности
ZXMHC3F381N8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC	подробности
ZXMHC6A07N8	DIODES	60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge	подробности
ZXMHC6A07N8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC	подробности
ZXMHC6A07T8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8	подробности