| номер части | GB0400039 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип | MHz Crystal |
| частота | 4MHz |
| Стабильность частоты | ±30ppm |
| Допуск частоты | ±30ppm |
| Емкость нагрузки | 20pF |
| ESR (Сопротивление эквивалентной серии) | 150 Ohm |
| Рабочий режим | Fundamental |
| Рабочая Температура | -20°C ~ 70°C |
| Рейтинги | - |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | HC49/US |
| Размер / размер | 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm) |
| Высота - сидя (макс.) | 0.138" (3.50mm) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GB01010EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | подробности |
|
GB01020EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | подробности |
 |
GB015Z101MA6N | AVX Corporation | CAP CER 100PF 50V X7R SMD | подробности |
 |
GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | подробности |
|
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A | подробности |
 |
GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC | подробности |
 |
GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | подробности |
|
GB02505EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | подробности |
 |
GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | подробности |
 |
GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | подробности |
