DGD2012S8-13 - Diodes Incorporated

номер части	DGD2012S8-13
Статус детали	Active
Управляемая конфигурация	Half-Bridge
Тип канала	Independent
Количество драйверов	2
Тип ворот	N-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка	10V ~ 20V
Напряжение логики - VIL, VIH	0.8V, 2.5V
Текущий - пиковый выход (источник, раковина)	1.9A, 2.3A
Тип ввода	Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (бутстрап)	200V
Время нарастания / падения (Тип)	40ns, 20ns
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика	8-SO
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DGD2005S8-13	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K	подробности
DGD2012S8-13	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K	подробности
DGD2101MS8-13	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K	подробности
DGD2101S8-13	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	подробности
DGD21032S8-13	Diodes Incorporated	IC GATE DVR HV 8SOIC	подробности
DGD2103AS8-13	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	подробности
DGD2103MS8-13	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HV SO8	подробности
DGD2103S8-13	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	подробности
DGD21042S8-13	Diodes Incorporated	IC GATE DVR HV 8SOIC	подробности
DGD2104AS8-13	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	подробности