| 品番 | DGD2012S8-13 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 駆動構成 | Half-Bridge |
| チャネルタイプ | Independent |
| ドライバ数 | 2 |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET |
| 電圧 - 供給 | 10V ~ 20V |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.5V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1.9A, 2.3A |
| 入力方式 | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 200V |
| 立ち上がり/立ち下がり時間（Typ） | 40ns, 20ns |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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DGD2005S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K | 詳細 |
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DGD2012S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K | 詳細 |
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DGD2101MS8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K | 詳細 |
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DGD2101S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | 詳細 |
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DGD21032S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DVR HV 8SOIC | 詳細 |
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DGD2103AS8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | 詳細 |
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DGD2103MS8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HV SO8 | 詳細 |
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DGD2103S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | 詳細 |
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DGD21042S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DVR HV 8SOIC | 詳細 |
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DGD2104AS8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | 詳細 |
