| Artikelnummer | DGD2012S8-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Tortyp | N-Channel MOSFET |
| Spannungsversorgung | 10V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
| Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1.9A, 2.3A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) | 200V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 40ns, 20ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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DGD2005S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K | Einzelheiten |
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DGD2012S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K | Einzelheiten |
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DGD2101MS8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K | Einzelheiten |
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DGD2101S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | Einzelheiten |
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DGD21032S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DVR HV 8SOIC | Einzelheiten |
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DGD2103AS8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | Einzelheiten |
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DGD2103MS8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HV SO8 | Einzelheiten |
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DGD2103S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | Einzelheiten |
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DGD21042S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DVR HV 8SOIC | Einzelheiten |
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DGD2104AS8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | Einzelheiten |
