CYD09S36V18-200BBXI - Cypress Semiconductor Corp

номер части	CYD09S36V18-200BBXI
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Dual Port, Synchronous
Размер памяти	9Mb (256K x 36)
Частота часов	200MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	3.3ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	256-LBGA
Пакет устройств поставщика	256-FBGA (17x17)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
CYD09S36V18-167BBXC	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 167MHZ 256FBGA	подробности
CYD09S36V18-200BBXC	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA	подробности
CYD09S36V18-200BBXI	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA	подробности
CYD09S36V18-WW14	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 256FBGA	подробности