CYD09S36V18-200BBXI - Cypress Semiconductor Corp

Numéro d'article	CYD09S36V18-200BBXI
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	SRAM
La technologie	SRAM - Dual Port, Synchronous
Taille mémoire	9Mb (256K x 36)
Fréquence d'horloge	200MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	3.3ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	256-LBGA
Package de périphérique fournisseur	256-FBGA (17x17)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CYD09S36V18-167BBXC	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 167MHZ 256FBGA	Détails
CYD09S36V18-200BBXC	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA	Détails
CYD09S36V18-200BBXI	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA	Détails
CYD09S36V18-WW14	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 256FBGA	Détails