CYD09S36V18-200BBXI - Cypress Semiconductor Corp

Numero di parte: CYD09S36V18-200BBXI
fabbricante: Cypress Semiconductor Corp
Breve descrizione: IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Memoria
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 220.26/pcs
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Numero di parte	CYD09S36V18-200BBXI
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	SRAM
Tecnologia	SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria	9Mb (256K x 36)
Frequenza di clock	200MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	3.3ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	256-FBGA (17x17)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
CYD09S36V18-167BBXC	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 167MHZ 256FBGA	Dettagli
CYD09S36V18-200BBXC	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA	Dettagli
CYD09S36V18-200BBXI	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA	Dettagli
CYD09S36V18-WW14	Cypress Semiconductor Corp	IC SRAM 9MBIT 256FBGA	Dettagli