KBU3508-G - Comchip Technology

номер части	KBU3508-G
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	800V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	4.2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 17.5A
Текущий - обратный утечек @ Vr	10µA @ 800V
Рабочая Температура	-55°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-SIP, KBU
Пакет устройств поставщика	KBU
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
KBU10005	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 50V 10A KBU	подробности
KBU10005-G	Comchip Technology	RECT BRIDGE CELL 50V 10A KBU	подробности
KBU1001	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 100V 10A KBU	подробности
KBU1001-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 10A 100V KBU	подробности
KBU1001G	TSC	Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers	подробности
KBU1001G T0	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU	подробности
KBU1001G T0G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU	подробности
KBU1001G_1	TSC	Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers	подробности
KBU1001_09	TSC	Single Phase 10.0 AMPS. Bridge Rectifiers	подробности
KBU1001_1	TSC	Single Phase 10 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers	подробности