KBU3508-G - Comchip Technology

Numéro d'article	KBU3508-G
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	800V
Courant - Rectifié moyen (Io)	4.2A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 17.5A
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 800V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	4-SIP, KBU
Package de périphérique fournisseur	KBU
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
KBU10005	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 50V 10A KBU	Détails
KBU10005-G	Comchip Technology	RECT BRIDGE CELL 50V 10A KBU	Détails
KBU1001	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 100V 10A KBU	Détails
KBU1001-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 10A 100V KBU	Détails
KBU1001G	TSC	Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers	Détails
KBU1001G T0	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU	Détails
KBU1001G T0G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU	Détails
KBU1001G_1	TSC	Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers	Détails
KBU1001_09	TSC	Single Phase 10.0 AMPS. Bridge Rectifiers	Détails
KBU1001_1	TSC	Single Phase 10 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers	Détails