| номер части | KBU3506-G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 600V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 4.2A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 17.5A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 600V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-SIP, KBU |
| Пакет устройств поставщика | KBU |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
KBU10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 10A KBU | подробности |
 |
KBU10005-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE CELL 50V 10A KBU | подробности |
|
KBU1001 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 10A KBU | подробности |
|
KBU1001-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 10A 100V KBU | подробности |
 |
KBU1001G | TSC | Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers | подробности |
 |
KBU1001G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU | подробности |
|
KBU1001G T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU | подробности |
|
KBU1001G_1 | TSC | Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers | подробности |
|
KBU1001_09 | TSC | Single Phase 10.0 AMPS. Bridge Rectifiers | подробности |
|
KBU1001_1 | TSC | Single Phase 10 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers | подробности |
