| Artikelnummer | KBU3506-G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 4.2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-SIP, KBU |
| Lieferantengerätepaket | KBU |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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KBU10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 10A KBU | Einzelheiten |
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KBU10005-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE CELL 50V 10A KBU | Einzelheiten |
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KBU1001 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 10A KBU | Einzelheiten |
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KBU1001-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 10A 100V KBU | Einzelheiten |
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KBU1001G | TSC | Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers | Einzelheiten |
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KBU1001G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU | Einzelheiten |
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KBU1001G T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU | Einzelheiten |
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KBU1001G_1 | TSC | Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers | Einzelheiten |
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KBU1001_09 | TSC | Single Phase 10.0 AMPS. Bridge Rectifiers | Einzelheiten |
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KBU1001_1 | TSC | Single Phase 10 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers | Einzelheiten |
