• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - биполярные (BJT) - RF › NE58219-T1-A
NE58219-T1-A

NE58219-T1-A - CEL

номер части
NE58219-T1-A
производитель
CEL
Краткое описание
TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
NE58219-T1-A Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
NE58219-T1-A.pdf
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4038 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку NE58219-T1-A

NE58219-T1-A Подробное описание

номер части NE58219-T1-A
Статус детали Obsolete
Тип транзистора NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 12V
Частота - переход 5GHz
Шум (дБ Тип @ f) -
Усиление -
Мощность - макс. 100mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 60mA
Рабочая Температура 125°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SC-75, SOT-416
Пакет устройств поставщика 3-SuperMiniMold (19)
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ NE58219-T1-A

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
NE5820M53-A NE5820M53-A CEL TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN подробности
NE5820M53-T1-A NE5820M53-T1-A CEL TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN подробности
NE58219-T1-A NE58219-T1-A CEL TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI подробности
NE584-8N NE584-8N S NE584-8N S DIP24 New Original Stocks подробности
NE58633BS,115 NE58633BS,115 NXP USA Inc. IC AMP AUDIO .04W STER D 32HVQFN подробности
NE58633BS,157 NE58633BS,157 NXP USA Inc. IC AMP AUDIO .04W STER D 32HVQFN подробности
NE587N NE587N NSC NE587N NSC DIP New Original Stocks подробности