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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › NE58219-T1-A
NE58219-T1-A

NE58219-T1-A - CEL

Artikelnummer
NE58219-T1-A
Hersteller
CEL
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NE58219-T1-A PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
NE58219-T1-A.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3878 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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NE58219-T1-A detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NE58219-T1-A
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen -
Leistung max 100mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 60mA
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-75, SOT-416
Lieferantengerätepaket 3-SuperMiniMold (19)
Gewicht -
Ursprungsland -

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