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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF › NE58219-T1-A
NE58219-T1-A

NE58219-T1-A - CEL

品番
NE58219-T1-A
メーカー
CEL
簡単な説明
TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
NE58219-T1-A PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
NE58219-T1-A.pdf
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3782 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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NE58219-T1-A 詳細な説明

品番 NE58219-T1-A
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 12V
周波数 - 遷移 5GHz
ノイズ・フィギュア（dB Typ @ f） -
利得 -
電力 - 最大 100mW
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 60 @ 5mA, 5V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 60mA
動作温度 125°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SC-75, SOT-416
サプライヤデバイスパッケージ 3-SuperMiniMold (19)
重量 -
原産国 -

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