VP2206N3-G-P003 - Microchip Technology

номер части	VP2206N3-G-P003
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	640mA (Tj)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	450pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	740mW (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 3.5A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-92-3
Упаковка / чехол	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VP2206N2	Microchip Technology	MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39	подробности
VP2206N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3	подробности
VP2206N3-G-P003	Microchip Technology	MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3	подробности