VP2206N3-G-P003 - Microchip Technology

Numéro d'article	VP2206N3-G-P003
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	640mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	740mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 3.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-92-3
Paquet / cas	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VP2206N2	Microchip Technology	MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39	Détails
VP2206N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3	Détails
VP2206N3-G-P003	Microchip Technology	MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3	Détails