VP2206N3-G-P003 - Microchip Technology

Artikelnummer	VP2206N3-G-P003
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	640mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 10mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	740mW (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 3.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-92-3
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VP2206N2	Microchip Technology	MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39	Einzelheiten
VP2206N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3	Einzelheiten
VP2206N3-G-P003	Microchip Technology	MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3	Einzelheiten