| 부품 번호 |
SQJ244EP-T1_GE3 |
| 부품 상태 |
Active |
| FET 유형 |
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 |
Standard |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) |
40V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs |
11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id |
2.5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
20nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V |
| 전력 - 최대 |
27W (Tc), 48W (Tc) |
| 작동 온도 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 |
Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| 공급 업체 장치 패키지 |
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| 무게 |
- |
| 원산지 |
- |
