SQJ244EP-T1_GE3 Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
SQJ244EP-T1_GE3 |
| Stato parte |
Active |
| Tipo FET |
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET |
Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
20nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V |
| Potenza - Max |
27W (Tc), 48W (Tc) |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Surface Mount |
| Pacchetto / caso |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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