| 品番 | SQJ244EP-T1_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 20nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SQJ244EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L | 詳細 |
