SQ2364EES-T1_GE3 - Vishay Siliconix

부품 번호	SQ2364EES-T1_GE3
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id	1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Vgs (최대)	±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	330pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	3W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
무게	-
원산지	-