SQ2364EES-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SQ2364EES-T1_GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-